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孙博士好。在利用SCM-PIC或SCM-PIT探针进行样品表面电学性能的检测时，不可避免地会遇到探针表面导电涂层的磨损问题，尤其是某些具有较大粗糙度的样品表面会很快磨掉探针的导电层。所以，想向您请教的是：对于KFM或cAFM检测，为了同时获得理想的形貌和电学特性结果，需要遵循怎样的原则进行操作？
KFM是在Tapping + Lift 的基础上做的，探针磨损的主要原因是没有控制好主扫描线上的tapping force。同tapping模式下的操作相同，为了减少探针磨损，请仔细调整Amplitude setpoint，尽量避开sepoint = 50%×target amplitude的位置去成像。因为在Amplitude setpoint = 50% × Target Amplitude的时候tapping force最大。尽可能地调整好I Gain和P Gain，使系统能迅速地对高度变化做出反馈。
cAFM是在Contact模式的基础上做的，探针磨损的主要原因是探针和样品间的作用力。仔细调整Deflection Setpoint，以最小允许的Deflection Setpoint成像，并降低扫描速率到0.2～0.5Hz，可以减小对探针的损伤。
但探针磨损对KFM测量影响不大，它会影响测得的表面与探针间的绝对电势差，但不会影响基底上各不同区域的相对电势差。KFM的测量不依赖于电流的存在，而只依赖于电场的建立，即使没有表面的金属层，露出来的掺杂硅依然可以同样品间建立电场，即使它的导电性不如金属层好。
谢谢您的讲解。
在这里，我还有一个地方不是很清楚：您提到对KFM及cAFM工作模式下的Setpoint进行调整，都是指的已经在tip和sample之间施加了偏压之后所进行的调整吗？
应该先调节setpoint，得到好的形貌图后，再加电压。
谢谢！
孙博士好。在进行cAFM检测时，即使.已经把 DC Sample bias设为0V，cAFM Current依旧不能回零。请问可能的原因会有哪些且如何才能消除这一偏差？
？
样品台上电压设为0V时，可能其电压值不是严格的0V，您可以用万用表测一下。如果有几个毫伏的电压，当您测导电性很好的样品时，就可能出现上述情况。您可以加一个相反偏压将这个偏压抵消掉，所加的偏压是新的数据0点。
谢谢。
孙博士， 关于0V 偏压也有电流信号， 有没有可能是 接触电势呢？ 因为不用的金属 有 不同的work function, 接触时存在接触电流也是 有可能的？
我用万用表测量过样品台，基本是接地的， 最多有0.01v的波动，但是对于high sensitivity 1nA 的current sensor, 把电流放大到300PA也是有可能的？
同意你的看法