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1 如何根据测量的amplitude曲线计算d33？是直接微分amplitude vs tip bias曲线吗？仪器的单位是mV. 用sapphire样品测得探针sensitivity接近100 nm/V. 需要用什么公式把这些参数带入计算呢？需要考虑实际测量的PR Amplitude（AC bias) 吗（我用的500mV)？
2. 如果想测time-dependent phase switching behavior，是不是直接将测得横坐标改为time就好了，用Ico AFM能测得的最小时间步长可以到微妙或者纳秒吗？
求指导，谢谢。
您好！首先确定您是在远离Contact Resonace下来做的PFM，否则以下公式不适用：d33 = LS PR amplitude (mV) * deflection sen. (nm/V) / 16 / LS PR AC bias (V)。 如果您使用的是Icon或DMV，其中PFM的workspace是开了16x Vertical Gain的，所以要除以16. 若关掉了这个Gain就不用除以16. 在靠近Contact Resonance时会有机械振动，所以不能准确计算。如果使用的是MM，是用Contact的workspace来实现的PFM，则不需要除以16，除非使用专为配备了PFM-Ready的37pin adapter的MM8的PFM workspace。直接将横坐标改为Time可以看到Phase在Ramp过程中随时间的变化。如果使用自定义的 脚本来施加DC，则可以直接使用Strip Chart功能来记录物理量随时间的变化。每秒钟最多存19968个数据，所以在50微秒的量级；Strip Chart则是最大速率1000Hz，所以是1毫秒。
Contact Resonance是指探针和样品组成的体系的接触共振频率，如果使用SCM-PIT，则一般在300-600kHz，取决于探针和样品，可参考PFM手册的contact resonance部分。若在接近Contact resonance频率下成像，则由于机械放大作用，得到的振幅是被放大了的振幅，如果恰好在共振峰上，则放大倍数是品质因子Q倍。由于不能确切得到Q，因此不能据此定量计算。必须远离接触共振。也可以如下近似：在相同条件下测一个已知d33的样品如石英，然后将比例系数计算出，用于未知样品。Strip Chart功能Icon是有的，在Ramp界面下点开上面菜单栏中“Plots and Controls”图标即可。
谢谢孙浩博士的详细回答，我还有几个问题想请教下
我们做实验用的是SCM-PIT tip （说明书的f0 60-100 kHz 是contact resonance吗？），实验时用的是high-resonance contact mode (at 300 kHz)，tip的sensitivity是通过在sapphire样品在contact mode下测试得到100 nm/V.
根据你给的公式计算,测得样品的amplitude为60 mV 甚至更多(开了16x vertical gain测得的），计算d33 = HS PR amplitude (60 mV) * deflection sensitivity (100 nm/V)/(16*HS PR AC bias (500 mV))=0.75 nm/V=750 pm/V. 我的样品是BiFeO3 薄膜，但测得的值远大于它的平均值 （~40 pm/V)。 想问下我的测量过程或者计算过程是否有错？
另外，关于time-dependent 信号的测量，我们用的Bruker Ico PFM， 这台仪器是不是没有那个strip chart功能（我没有找到？）。实际测量中，我想给样品先加一个voltage pulse (比如3V), 然后记录样品的phase/amplitude随时间的变化，但好像我们这台PFM没有这个功能？必须和专门的LCR meter集成在一块才行吗？
谢谢